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OBIRCH结果，求解释
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fengluan83
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1#
发表于 2023-10-16 08:58:56
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本帖最后由 fengluan83 于 2023-10-16 09:04 编辑
图上是一个端口的obirch结果。下面部分红色的区域为ESD器件部分（fab给出的lpnp esd结构）。
上面部分红色的为电路上的zener钳位二极管，绿色部分为pmos管。
PAD通过一个高达1M欧姆的电阻连接到pmos和zener。
为什么hbm测试后zener和pmos部分会出现红点和绿点。
一般想来，经过了这么大的电阻，流过器件的电流很小，不会对器件有损坏吧？。
或者是因为ESD和电路器件离的太近的原因？
此处器件上的红点和绿点代表什么意思呢？
另一个图是这部分芯片清晰的照片。
谢谢大神们
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esbwong
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2#
发表于 2023-10-16 10:10:03
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器件上的红点和绿点代表漏电地点
HBM 是 pad-to-pad, pad-to-gnd 或 pad-to-supply??? 正或负方向???
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fengluan83
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楼主|
发表于 2023-10-16 10:14:32
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esbwong 发表于 2023-10-16 10:10
器件上的红点和绿点代表漏电地点
HBM 是 pad-to-pad, pad-to-gnd 或 pad-to-supply??? 正或负方向??? ...
这个引脚只作了pad to gnd 的正负ESD。
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bbbenjamin
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4#
发表于 2023-10-16 12:55:54
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PAD对GND打正，应该没问题
PAD对GND打负，有问题，问题可能在这个1M电阻上
红点：表示当Obirch laser加热物质时，电流变化量变大，即物质越加热阻值变得越低
绿点：表示当Obirch laser加热物质时，电流变化量变小，即物质越加热阻值变得越高
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fengluan83
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5#
楼主|
发表于 2023-10-16 14:16:17
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bbbenjamin 发表于 2023-10-16 12:55
PAD对GND打正，应该没问题
PAD对GND打负，有问题，问题可能在这个1M电阻上
请问一下问什么pad to GND打负压有问题呢？
我的理解是因为只作了pad to gnd 的测试，而esd器件为高压lpnp结构，应该是对称结构。
负压的话电流通路也是经过这个ESD。
你是觉得负压的话有电流从电源经过了这个电阻？
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6#
发表于 2023-10-17 08:24:21
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本帖最后由 bbbenjamin 于 2023-10-17 08:25 编辑
打负压的电流路径是从gnd通过别其他esd的路径到电源，再从电源到pad。一般这个路径的总阻抗要低于1ohm，串大电阻就不符合这个要求了。
pad到电源打负压也要走这条大电阻路径，看看那个是不是也会坏。
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fei_SH
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7#
发表于 2023-10-17 08:33:00
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fengluan83 发表于 2023-10-16 14:16
请问一下问什么pad to GND打负压有问题呢？
我的理解是因为只作了pad to gnd 的测试，而esd器件为高压lp ...
不一定是PAD 对GND 打负，也可能是打正的问题。
你要先确认ESD PNP的电路，B to E有没有电阻？
ESD PNP并不是对称结构，layout上E和C有很大的差异。
如果B to E是直接short的，那负压是走的body diode，大概率是正压导致PNP失效。
如果B to E是有电阻的，body diode就不存在了，负压没有低压通路，大概率会负压失效。
从hot point看，失效位置是PNP的中间，个人比较偏向于正压失效，PNP本身设计可能有缺陷。
更直接的证据可以delay下去，看看PNP是C还是E损伤。
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fengluan83
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楼主|
发表于 2023-10-20 13:26:48
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fei_SH 发表于 2023-10-17 08:33
不一定是PAD 对GND 打负，也可能是打正的问题。
你要先确认ESD PNP的电路，B to E有没有电阻？
这个PNP的ESD结构是fab提供的。
fab 也有器件的TLP曲线，看起来负压就是二极管，耐压很高的。
查版图，使用的pnp是C，E完全对称的，使用的时候BE短接。
所以我也是以为负压是完全靠diode。
应该是正电压引起的fail。
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chuchuang
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发表于 2024-3-30 14:46:21
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esd 打的时候一般往上和往下两边跑 而且挑弱的破坏 没看到往vdd的esd 而且往gnd可能比较差 拿去去层看下哪里坏了 再让fab给个意见
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yylei
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发表于 2024-3-30 21:51:57
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要有好品和坏品对比才好分析。
你这个图也许是正常的呢？打完HBM，pad加正压，ESD不会导通，对电源有电流很正常啊。
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